555-575 W monokristalliline päikesepaneel

Elektronide ja aukude rekombinatsioon pinnal ja mis tahes liidesel on peamine raku efektiivsust piirav tegur ja
Rekombinatsiooni vähendamiseks on välja töötatud erinevaid passiveerimistehnoloogiaid, alates varases staadiumis BSF-ist (Back Surface Field) kuni praegu populaarse PERC-ni (Passiveed Emitter and Rear Cell), uusimate HJT-ni (heterojunction) ja tänapäeval TOPCon-tehnoloogiateni. TOPCon on täiustatud passiveerimistehnoloogia, mis ühildub nii P- kui ka N-tüüpi ränivahvlitega ja võib oluliselt suurendada rakkude efektiivsust, kasvatades elemendi tagaküljele üliõhukese oksiidikihi ja legeeritud polüränikihi, et luua hea liidese passiveerimine. N-tüüpi räniplaatidega kombineerituna on TOPCon elementide efektiivsuse ülempiir hinnanguliselt 28,7%, ületades PERC oma, mis oleks umbes 24,5%. TOPConi töötlemine ühildub paremini olemasolevate PERC tootmisliinidega, tasakaalustades seega paremaid tootmiskulusid ja suuremat mooduli efektiivsust. Eeldatakse, et TOPCon on lähiaastatel tavapärane rakutehnoloogia.